2019 Q2 Hynix нь хоёр дахь үеийн 10nm процессын санах ойг гаргах болно

  SK hynix саяхан тус компани анхны нанометр үйлдвэрлэх үйл явцыг (өөрөөр хэлбэл 1X нм) DRAM үйлдвэрлэлээ нэмэгдүүлж, хоёрдугаар үеийн 10 нанометр үйлдвэрлэх технологийг (мөн 1Y nm гэж нэрлэдэг) 2-р хагаст зарж эхлэх болно гэж саяхан мэдэгдэв. жил. Санах ой. 10nm технологид шилжих ажлыг хурдасгах нь компанид DRAM гарцыг нэмэгдүүлэх, эцэст нь зардлыг бууруулж, дараагийн үеийн санах ойд бэлтгэх боломжийг олгоно.

SK Hynix 1Y nm үйлдвэрлэлийн технологийг ашиглан үйлдвэрлэсэн анхны бүтээгдэхүүн нь түүний 8Gb DDR4-3200 санах ойн чип юм. Үйлдвэрлэгч нь 8Gb DDR4 төхөөрөмжүүдийн чипийн хэмжээг өөрийн 1X нм үйлдвэрлэх технологийг ашиглан үйлдвэрлэсэн ижил төстэй төхөөрөмжтэй харьцуулахад 20% -иар бууруулж, цахилгаан зарцуулалтыг 15% бууруулж чадна гэж мэдэгджээ. Нэмж дурдахад, SK hynix-ийн удахгүй болох 8Gb DDR4-3200 чип нь хоёр фазын сайжруулалттай байна: 4 фазын цагийн схем, Sense өсгөгчийг хянах технологи.

Эдгээр технологи нь энэ жил DDR4-т чухал ач холбогдолтой боловч SK hynix нь 1Y nm үйлдвэрлэлийн процессоо DDR5, LPDDR5, GDDR6 DRAM үйлдвэрлэхэд ашиглах болно гэж мэдэгджээ. Тиймээс ирээдүйд бэлтгэхийн тулд Hynix нь хоёр дахь үеийн 10 нанометр үйлдвэрлэх технологийг аль болох хурдан шинэчлэх ёстой.